IRF7342PBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [67281पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.51426
- 10 pcs$0.45364
- 100 pcs$0.33914
- 500 pcs$0.26302
- 1,000 pcs$0.20765
- भाग संख्या:
- IRF7342PBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRF7342PBF electronic components. IRF7342PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7342PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF7342PBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRF7342PBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
श्रृंखला :
HEXFET®
भाग स्थिति :
Discontinued at Digi-Key
FET प्रकार :
2 P-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
55V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
3.4A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
105 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
38nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
690pF @ 25V
पावर - अधिकतम :
2W
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SO
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- GMM3X180-004X2-SMD
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- AO7600
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- SI5513DC-T1-E3
- SI1970DH-T1-E3
- NTHD3100CT1
- ZXMN6A11DN8TC
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