भाग संख्या :
SI5458DU-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 30V 6A PPAK CHIPFET
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
6A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
41 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
9nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
325pF @ 15V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.5W (Ta), 10.4W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
प्याकेज / केस :
8-PowerVDFN