वर्णन :
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
102A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
-
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
23 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
114nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
6800pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
750W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-3P
प्याकेज / केस :
TO-3P-3, SC-65-3