STP170N8F7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [31595पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.30447
- 10 pcs$1.17799
- 100 pcs$0.89820
- 500 pcs$0.69860
- 1,000 pcs$0.57884
- भाग संख्या:
- STP170N8F7
- निर्माता:
- STMicroelectronics
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in STMicroelectronics STP170N8F7 electronic components. STP170N8F7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP170N8F7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP170N8F7 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
STP170N8F7
निर्माता :
STMicroelectronics
वर्णन :
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB
श्रृंखला :
STripFET™ F7
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
80V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
120A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3.9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
8710pF @ 40V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
250W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220
प्याकेज / केस :
TO-220-3
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