भाग संख्या :
IPB039N10N3GE8187ATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
160A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
3.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.5V @ 160µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
117nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
8410pF @ 50V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
214W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO263-7
प्याकेज / केस :
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB