ON Semiconductor - NVC3S5A51PLZT1G

KEY Part #: K6416237

NVC3S5A51PLZT1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [371572पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.09954
  • 3,000 pcs$0.09652

भाग संख्या:
NVC3S5A51PLZT1G
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, Thyristors - SCRs and डायोडहरू - जेनर - एर्रे ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVC3S5A51PLZT1G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NVC3S5A51PLZT1G
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 1.8A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.6V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 6nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 262pF @ 20V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 1.2W (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 3-CPH
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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