Texas Instruments - CSD13383F4T

KEY Part #: K6416208

CSD13383F4T मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [466207पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.07934
  • 250 pcs$0.07277
  • 1,250 pcs$0.03765

भाग संख्या:
CSD13383F4T
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD13383F4T उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD13383F4T
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
श्रृंखला : FemtoFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.9A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 44 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.25V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 2.6nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : ±10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 291pF @ 6V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 3-PICOSTAR
प्याकेज / केस : 3-XFDFN

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