Infineon Technologies - IRFH8311TRPBF

KEY Part #: K6416001

IRFH8311TRPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [177240पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.20869
  • 4,000 pcs$0.17833

भाग संख्या:
IRFH8311TRPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction and पावर ड्राइभर मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH8311TRPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRFH8311TRPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 32A (Ta), 169A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.35V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 4960pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 3.6W (Ta), 96W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PQFN (5x6)
प्याकेज / केस : 8-TQFN Exposed Pad

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