भाग संख्या :
IRFH8311TRPBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
32A (Ta), 169A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.35V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
66nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4960pF @ 10V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.6W (Ta), 96W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PQFN (5x6)
प्याकेज / केस :
8-TQFN Exposed Pad