IPP062NE7N3GXKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [69225पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.56484
- 500 pcs$0.51816
- भाग संख्या:
- IPP062NE7N3GXKSA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - जेनर - एर्रे and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPP062NE7N3GXKSA1 electronic components. IPP062NE7N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP062NE7N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP062NE7N3GXKSA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPP062NE7N3GXKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
75V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
80A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
6.2 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.8V @ 70µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3840pF @ 37.5V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
136W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO220-3
प्याकेज / केस :
TO-220-3
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