DMG1029SV-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [714012पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.05180
- 3,000 pcs$0.04666
- भाग संख्या:
- DMG1029SV-7
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N/P-CH 60V SOT563.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated DMG1029SV-7 electronic components. DMG1029SV-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG1029SV-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMG1029SV-7 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
DMG1029SV-7
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET N/P-CH 60V SOT563
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N and P-Channel
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
500mA, 360mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.7 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
0.3nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
30pF @ 25V
पावर - अधिकतम :
450mW
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOT-563
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- SI7501DN-T1-E3
- EFC6617R-TF
- SI3981DV-T1-E3
- IRF7103Q
- AO4914L
- AO4803AL
- EFC4627R-A-TR
- SI5943DU-T1-GE3
- SI4814BDY-T1-E3
- IRF6723M2DTRPBF
- SIB914DK-T1-GE3
- DMN5L06V-7
- AO7600
- SI7958DP-T1-E3
- SI5513DC-T1-E3
- SI1970DH-T1-E3
- NTHD3100CT1
- ZXMN6A11DN8TC
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