Vishay Siliconix - SIB911DK-T1-GE3

KEY Part #: K6524204

[3910पीसी स्टक]


    भाग संख्या:
    SIB911DK-T1-GE3
    निर्माता:
    Vishay Siliconix
    विस्तृत विवरण:
    MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6.
    Manufacturer's standard lead time:
    स्टक मा
    आफ्नो जीवन:
    एक वर्ष
    बाट चिप:
    हंगकंग
    RoHS:
    भुक्तानी विधि:
    ढुवानी मार्ग:
    परिवार कोटिहरू:
    KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
    प्रतिस्पर्धी लाभ:
    We specialize in Vishay Siliconix SIB911DK-T1-GE3 electronic components. SIB911DK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB911DK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIB911DK-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

    भाग संख्या : SIB911DK-T1-GE3
    निर्माता : Vishay Siliconix
    वर्णन : MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
    श्रृंखला : TrenchFET®
    भाग स्थिति : Obsolete
    FET प्रकार : 2 P-Channel (Dual)
    FET फिचर : Standard
    स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
    हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.6A
    Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
    Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1V @ 250µA
    गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 4nC @ 8V
    इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 115pF @ 10V
    पावर - अधिकतम : 3.1W
    अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
    माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
    प्याकेज / केस : PowerPAK® SC-75-6L Dual
    आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® SC-75-6L Dual

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