SSM6N15AFE,LM मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [1416991पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.02886
- 4,000 pcs$0.02871
- भाग संख्या:
- SSM6N15AFE,LM
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, डायोडहरू - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE,LM electronic components. SSM6N15AFE,LM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6N15AFE,LM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6N15AFE,LM उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SSM6N15AFE,LM
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual)
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
100mA
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.5V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
7.8pF @ 3V
पावर - अधिकतम :
150mW
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
SOT-563, SOT-666
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
ES6 (1.6x1.6)
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