Vishay Semiconductor Diodes Division - ES1B-E3/61T

KEY Part #: K6456207

ES1B-E3/61T मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [882193पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.04193
  • 1,800 pcs$0.03639
  • 3,600 pcs$0.03164
  • 5,400 pcs$0.02848
  • 12,600 pcs$0.02532
  • 45,000 pcs$0.02373
  • 90,000 pcs$0.02110

भाग संख्या:
ES1B-E3/61T
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES1B-E3/61T उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : ES1B-E3/61T
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 100V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 920mV @ 1A
गति : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 25ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214AC, SMA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214AC (SMA)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -55°C ~ 150°C

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