IRFI4510GPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [43906पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.85711
- 10 pcs$0.77265
- 100 pcs$0.62088
- 500 pcs$0.48291
- 1,000 pcs$0.40012
- भाग संख्या:
- IRFI4510GPBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N CH 100V 35A TO220.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRFI4510GPBF electronic components. IRFI4510GPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFI4510GPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFI4510GPBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRFI4510GPBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N CH 100V 35A TO220
श्रृंखला :
HEXFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
35A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
13.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
81nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2998pF @ 50V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
42W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220AB Full-Pak
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack
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