STP42N60M2-EP मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [8152पीसी स्टक]
- 1 pcs$4.72871
- 10 pcs$4.25408
- 100 pcs$3.49762
- 500 pcs$2.93043
- भाग संख्या:
- STP42N60M2-EP
- निर्माता:
- STMicroelectronics
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and Thyristors - SCRs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in STMicroelectronics STP42N60M2-EP electronic components. STP42N60M2-EP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP42N60M2-EP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STP42N60M2-EP उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
STP42N60M2-EP
निर्माता :
STMicroelectronics
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 34A EP TO220AB
श्रृंखला :
MDmesh™ M2-EP
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
34A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
87 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.75V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
55nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±25V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2370pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
250W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220
प्याकेज / केस :
TO-220-3
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