ON Semiconductor - NTMFS4C06NT1G

KEY Part #: K6394391

NTMFS4C06NT1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [289888पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.12759
  • 3,000 pcs$0.11563

भाग संख्या:
NTMFS4C06NT1G
निर्माता:
ON Semiconductor
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS4C06NT1G उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : NTMFS4C06NT1G
निर्माता : ON Semiconductor
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 11A (Ta), 69A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1683pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 770mW (Ta), 30.5W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN

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