[8507पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- FQI3P50TU
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - SCRs and Thyristors - TRIACs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor FQI3P50TU electronic components. FQI3P50TU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQI3P50TU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQI3P50TU उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
FQI3P50TU
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET P-CH 500V 2.7A I2PAK
श्रृंखला :
QFET®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
500V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2.7A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
4.9 Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
660pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
3.13W (Ta), 85W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
I2PAK (TO-262)
प्याकेज / केस :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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