BSC123N10LSGATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [116263पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.31813
- 5,000 pcs$0.30546
- भाग संख्या:
- BSC123N10LSGATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies BSC123N10LSGATMA1 electronic components. BSC123N10LSGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC123N10LSGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC123N10LSGATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
BSC123N10LSGATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
10.6A (Ta), 71A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
12.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.4V @ 72µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4900pF @ 50V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
114W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TDSON-8
प्याकेज / केस :
8-PowerTDFN
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