निर्माता :
GeneSiC Semiconductor
वर्णन :
DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
डायोड कन्फिगरेसन :
1 Pair Common Cathode
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
30V
वर्तमान - औसत सुधार (Io) (प्रति डायोड) :
300A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
750mV @ 300A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
-
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
1mA @ 20V
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-
माउन्टिंग प्रकार :
Chassis Mount
प्याकेज / केस :
Twin Tower
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
Twin Tower