Texas Instruments - CSD17308Q3T

KEY Part #: K6416971

CSD17308Q3T मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [173302पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.24159
  • 250 pcs$0.24038
  • 500 pcs$0.21244
  • 750 pcs$0.18560
  • 1,250 pcs$0.16771

भाग संख्या:
CSD17308Q3T
निर्माता:
Texas Instruments
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 30V 50A.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - TRIACs and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17308Q3T उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : CSD17308Q3T
निर्माता : Texas Instruments
वर्णन : MOSFET N-CH 30V 50A
श्रृंखला : NexFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 14A (Ta), 44A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 3V, 8V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 10.3 mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.8V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 5.1nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : +10V, -8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 700pF @ 15V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2.7W (Ta), 28W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
प्याकेज / केस : 8-PowerTDFN

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