Infineon Technologies - IPB60R080P7ATMA1

KEY Part #: K6417444

IPB60R080P7ATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [31505पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.30815

भाग संख्या:
IPB60R080P7ATMA1
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and Thyristors - TRIACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R080P7ATMA1 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IPB60R080P7ATMA1
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH TO263-3
श्रृंखला : CoolMOS™ P7
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 37A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 80 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 590µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2180pF @ 400V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 129W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D²PAK (TO-263AB)
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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