SSM3K35CTC,L3F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2391852पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.01710
- 10,000 pcs$0.01701
- भाग संख्या:
- SSM3K35CTC,L3F
- निर्माता:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 20V 0.18A.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, Thyristors - DIACs, SIDACs and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35CTC,L3F electronic components. SSM3K35CTC,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K35CTC,L3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3K35CTC,L3F उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SSM3K35CTC,L3F
निर्माता :
Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन :
MOSFET N-CH 20V 0.18A
श्रृंखला :
U-MOSIII
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
250mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.2V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 100µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
0.34nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) :
±10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
36pF @ 10V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
500mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
CST3C
प्याकेज / केस :
SC-101, SOT-883
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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