DMT6009LFG-7 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [179158पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.20645
- 2,000 pcs$0.18272
- भाग संख्या:
- DMT6009LFG-7
- निर्माता:
- Diodes Incorporated
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 60V 11A.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT6009LFG-7 electronic components. DMT6009LFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT6009LFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT6009LFG-7 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
DMT6009LFG-7
निर्माता :
Diodes Incorporated
वर्णन :
MOSFET N-CH 60V 11A
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
60V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
11A (Ta), 34A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
33.5nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1925pF @ 30V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerDI3333-8
प्याकेज / केस :
8-PowerWDFN
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
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- FQPF1N50
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- IRF9Z34NSTRR
- IRFBC30A
- IRLZ24
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