Vishay Siliconix - SISA24DN-T1-GE3

KEY Part #: K6416677

SISA24DN-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [225200पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.16424
  • 3,000 pcs$0.15455

भाग संख्या:
SISA24DN-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISA24DN-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SISA24DN-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
श्रृंखला : TrenchFET® Gen IV
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 25V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 60A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 26nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) : +20V, -16V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 2650pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 52W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® 1212-8
प्याकेज / केस : PowerPAK® 1212-8

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