IRFB4227PBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [26568पीसी स्टक]
- 1 pcs$1.30006
- 10 pcs$1.17270
- 100 pcs$0.89407
- 500 pcs$0.69538
- 1,000 pcs$0.57618
- भाग संख्या:
- IRFB4227PBF
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - TRIACs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and Thyristors - SCRs ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IRFB4227PBF electronic components. IRFB4227PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB4227PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFB4227PBF उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IRFB4227PBF
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 200V 65A TO-220AB
श्रृंखला :
HEXFET®
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
200V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
65A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
24 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
98nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4600pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
330W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-40°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220AB
प्याकेज / केस :
TO-220-3
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
तातो पार्ट्स
- PHD66NQ03LT,118
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- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3