Infineon Technologies - IRFB7430PBF

KEY Part #: K6400327

IRFB7430PBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [26417पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.66144
  • 10 pcs$1.48472
  • 100 pcs$1.21757
  • 500 pcs$0.93538
  • 1,000 pcs$0.78888

भाग संख्या:
IRFB7430PBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N CH 40V 195A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB7430PBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRFB7430PBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N CH 40V 195A TO220
श्रृंखला : HEXFET®, StrongIRFET™
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 195A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 6V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 1.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.9V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 460nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 14240pF @ 25V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 375W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TO-220AB
प्याकेज / केस : TO-220-3

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