भाग संख्या :
SI1065X-T1-E3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
12V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
-
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
156 mOhm @ 1.18A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
950mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
10.8nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
480pF @ 6V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
236mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SC-89-6
प्याकेज / केस :
SOT-563, SOT-666