IGT60R070D1ATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [5772पीसी स्टक]
- 1 pcs$7.13889
- भाग संख्या:
- IGT60R070D1ATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- IC GAN FET 600V 60A 8HSOF.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , Thyristors - TRIACs, Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IGT60R070D1ATMA1 electronic components. IGT60R070D1ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IGT60R070D1ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IGT60R070D1ATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IGT60R070D1ATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
श्रृंखला :
CoolGaN™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
31A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
-
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
-
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1.6V @ 2.6mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
-
Vgs (अधिकतम) :
-10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
380pF @ 400V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
125W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-HSOF-8-3
प्याकेज / केस :
8-PowerSFN
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