Vishay Siliconix - SIR770DP-T1-GE3

KEY Part #: K6525284

SIR770DP-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [167720पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.22053
  • 3,000 pcs$0.20708

भाग संख्या:
SIR770DP-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - आरएफ, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, , डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR770DP-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SIR770DP-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : 2 N-Channel (Dual)
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.8V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 21nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 900pF @ 15V
पावर - अधिकतम : 17.8W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : PowerPAK® SO-8 Dual
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : PowerPAK® SO-8 Dual

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