SH8M4TB1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [123476पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.31933
- 2,500 pcs$0.31774
- भाग संख्या:
- SH8M4TB1
- निर्माता:
- Rohm Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - आरएफ, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Rohm Semiconductor SH8M4TB1 electronic components. SH8M4TB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SH8M4TB1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SH8M4TB1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SH8M4TB1
निर्माता :
Rohm Semiconductor
वर्णन :
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Not For New Designs
FET प्रकार :
N and P-Channel
FET फिचर :
Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
30V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
9A, 7A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 1mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
15nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1190pF @ 10V
पावर - अधिकतम :
2W
अपरेटिंग तापमान :
150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
8-SOP
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- APTC90AM602G
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- IRFHM792TR2PBF
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- NTLUD3191PZTAG
- SI4226DY-T1-GE3
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- SI1912EDH-T1-E3
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