Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J304T(TE85L,F)

KEY Part #: K6401882

SSM3J304T(TE85L,F) मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2896पीसी स्टक]

  • 3,000 pcs$0.03837

भाग संख्या:
SSM3J304T(TE85L,F)
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J304T(TE85L,F) उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SSM3J304T(TE85L,F)
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM
श्रृंखला : U-MOSIII
भाग स्थिति : Obsolete
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 2.3A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 1.8V, 4V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 127 mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : -
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 6.1nC @ 4V
Vgs (अधिकतम) : ±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 335pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 700mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : TSM
प्याकेज / केस : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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