भाग संख्या :
SPN02N60C3 E6433
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
400mA (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
2.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
3.9V @ 80µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
13nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
200pF @ 25V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
1.8W (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-SOT223-4
प्याकेज / केस :
TO-261-4, TO-261AA