IPB50N10S3L16ATMA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [116060पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.31869
- 1,000 pcs$0.30240
- भाग संख्या:
- IPB50N10S3L16ATMA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPB50N10S3L16ATMA1 electronic components. IPB50N10S3L16ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB50N10S3L16ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPB50N10S3L16ATMA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPB50N10S3L16ATMA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
श्रृंखला :
OptiMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
100V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
50A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
4.5V, 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
15.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.4V @ 60µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
4180pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
100W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO263-3-2
प्याकेज / केस :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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- BSS123ATA
- 2N6760
- RJK6006DPP-E0#T2
- IRLBD59N04ETRLP
- BSS209PW
- IRFR3707TR
- STP12PF06
- IXFH35N30
- STP8NM60ND
- SI1011X-T1-GE3
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- STD15N60M2-EP
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- TK9P65W,RQ
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