LL4154-GS08 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [4676071पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.00835
- 12,500 pcs$0.00831
- भाग संख्या:
- LL4154-GS08
- निर्माता:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- विस्तृत विवरण:
- DIODE GEN PURP 35V 300MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 35 Volt 300mA 2.0 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LL4154-GS08 electronic components. LL4154-GS08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LL4154-GS08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LL4154-GS08 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
LL4154-GS08
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE GEN PURP 35V 300MA SOD80
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101
भाग स्थिति :
Active
डायोड प्रकार :
Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
35V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
300mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1V @ 30mA
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
4ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
100nA @ 25V
Capacitance @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
SOD-80 MiniMELF
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
175°C (Max)
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
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BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
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BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
तातो पार्ट्स
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A