भाग संख्या :
SI8416DB-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
8V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
16A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.2V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
23 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
800mV @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
26nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1470pF @ 4V
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.77W (Ta), 13W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-microfoot