IPP65R110CFDXKSA1 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [13321पीसी स्टक]
- 1 pcs$2.75437
- 10 pcs$2.46087
- 100 pcs$2.01788
- 500 pcs$1.63398
- 1,000 pcs$1.37806
- भाग संख्या:
- IPP65R110CFDXKSA1
- निर्माता:
- Infineon Technologies
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, Thyristors - SCRs and ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Infineon Technologies IPP65R110CFDXKSA1 electronic components. IPP65R110CFDXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP65R110CFDXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPP65R110CFDXKSA1 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
IPP65R110CFDXKSA1
निर्माता :
Infineon Technologies
वर्णन :
MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220
श्रृंखला :
CoolMOS™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
700V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
31.2A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4.5V @ 1.3mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
118nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
3240pF @ 100V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
277.8W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PG-TO220-3
प्याकेज / केस :
TO-220-3
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