Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS387,L3F

KEY Part #: K6456629

1SS387,L3F मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [2750629पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.01419
  • 8,000 pcs$0.01412
  • 16,000 pcs$0.01200
  • 24,000 pcs$0.01130
  • 56,000 pcs$0.01059
  • 200,000 pcs$0.00941

भाग संख्या:
1SS387,L3F
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and डायोडहरू - आरएफ ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SS387,L3F उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : 1SS387,L3F
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
श्रृंखला : -
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 80V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 100mA
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.2V @ 100mA
गति : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 4ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 500nA @ 80V
Capacitance @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SC-79, SOD-523
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : ESC
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : 125°C (Max)

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