[2619पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- GP1M012A060FH
- निर्माता:
- Global Power Technologies Group
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET N-CH 600V 12A TO220F.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, Thyristors - DIACs, SIDACs, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, Thyristors - SCRs, Thyristors - TRIACs and ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Global Power Technologies Group GP1M012A060FH electronic components. GP1M012A060FH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M012A060FH, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
GP1M012A060FH उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
GP1M012A060FH
निर्माता :
Global Power Technologies Group
वर्णन :
MOSFET N-CH 600V 12A TO220F
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
N-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
600V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
12A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
4V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) :
±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
2308pF @ 25V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
53W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220F
प्याकेज / केस :
TO-220-3 Full Pack
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