FESE16JT-E3/45 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [3180पीसी स्टक]
- 2,000 pcs$0.22093
- भाग संख्या:
- FESE16JT-E3/45
- निर्माता:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- विस्तृत विवरण:
- DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division FESE16JT-E3/45 electronic components. FESE16JT-E3/45 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FESE16JT-E3/45, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FESE16JT-E3/45 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
FESE16JT-E3/45
निर्माता :
Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन :
DIODE GEN PURP 600V 16A TO220AC
श्रृंखला :
-
भाग स्थिति :
Obsolete
डायोड प्रकार :
Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) :
16A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि :
1.5V @ 16A
गति :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) :
50ns
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
145pF @ 4V, 1MHz
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
प्याकेज / केस :
TO-220-2
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
TO-220AC
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन :
-65°C ~ 150°C
ताजा समाचारहरू
तपाईलाई पनि चासो लाग्न सक्छ
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RJU6052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252
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RJU4352SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
-
RJU3052SDPD-E0#J2
Renesas Electronics America
DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252
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CMDD6001 BK
Central Semiconductor Corp
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA
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MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 16 Amp 60Volt Single
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VS-MURB820-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK. Rectifiers 200V 8A TO-263 Fred Pt
तातो पार्ट्स
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18