निर्माता :
Sharp Microelectronics
वर्णन :
SENSOR PHOTODIODE 560NM SIDE
स्पेक्ट्रल दायरा :
500nm ~ 600nm
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) :
10V
वर्तमान - गाढा (प्रकार) :
3pA
अपरेटिंग तापमान :
-20°C ~ 60°C
माउन्टिंग प्रकार :
Through Hole
प्याकेज / केस :
Side View