Vishay Siliconix - SI5513CDC-T1-GE3

KEY Part #: K6525445

SI5513CDC-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [383787पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.09638
  • 3,000 pcs$0.09104

भाग संख्या:
SI5513CDC-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - आरएफ, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, Thyristors - TRIACs, डायोडहरू - जेनर - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5513CDC-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI5513CDC-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N and P-Channel
FET फिचर : Logic Level Gate
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 4A, 3.7A
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 4.2nC @ 5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 285pF @ 10V
पावर - अधिकतम : 3.1W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : 8-SMD, Flat Lead
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 1206-8 ChipFET™

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