[8603पीसी स्टक]
- भाग संख्या:
- SIB417DK-T1-GE3
- निर्माता:
- Vishay Siliconix
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - एर्रेहरू, Thyristors - TRIACs, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, डायोडहरू - जेनर - एकल and डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in Vishay Siliconix SIB417DK-T1-GE3 electronic components. SIB417DK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB417DK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIB417DK-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
SIB417DK-T1-GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
श्रृंखला :
TrenchFET®
भाग स्थिति :
Obsolete
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
8V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
9A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.2V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
52 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
12.75nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) :
±5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
675pF @ 4V
FET फिचर :
-
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SC-75-6L Single
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SC-75-6L
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