Vishay Siliconix - SI3407DV-T1-GE3

KEY Part #: K6405076

SI3407DV-T1-GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [471021पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

भाग संख्या:
SI3407DV-T1-GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - जेनर - एकल, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, डायोडहरू - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (बीज्ट) - एर्रेहरू, and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3407DV-T1-GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SI3407DV-T1-GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
श्रृंखला : TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : P-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 8A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 2.5V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±12V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1670pF @ 10V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 2W (Ta), 4.2W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-TSOP
प्याकेज / केस : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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