Vishay Siliconix - SQ3585EV-T1_GE3

KEY Part #: K6525080

SQ3585EV-T1_GE3 मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [49543पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.78921

भाग संख्या:
SQ3585EV-T1_GE3
निर्माता:
Vishay Siliconix
विस्तृत विवरण:
MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3585EV-T1_GE3 उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : SQ3585EV-T1_GE3
निर्माता : Vishay Siliconix
वर्णन : MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
श्रृंखला : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N and P-Channel
FET फिचर : Standard
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 77 mOhm @ 1A, 4.5V, 166 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 1.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : -
पावर - अधिकतम : 1.67W
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : 6-TSOP

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