भाग संख्या :
SQJ244EP-T1_GE3
निर्माता :
Vishay Siliconix
वर्णन :
MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
श्रृंखला :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
FET प्रकार :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
20nC @ 10V, 45nC @ 10V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
पावर - अधिकतम :
27W (Tc), 48W (Tc)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
प्याकेज / केस :
PowerPAK® SO-8 Dual
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric