EPC - EPC2015C

KEY Part #: K6416896

EPC2015C मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [40241पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.02047
  • 2,500 pcs$1.01539

भाग संख्या:
EPC2015C
निर्माता:
EPC
विस्तृत विवरण:
GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and Thyristors - DIACs, SIDACs ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
We specialize in EPC EPC2015C electronic components. EPC2015C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2015C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2015C उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : EPC2015C
निर्माता : EPC
वर्णन : GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
श्रृंखला : eGaN®
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : GaNFET (Gallium Nitride)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 40V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 53A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 2.5V @ 9mA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 8.7nC @ 5V
Vgs (अधिकतम) : +6V, -4V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1180pF @ 20V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : -
अपरेटिंग तापमान : -40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : Die
प्याकेज / केस : Die
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  • 2N7000-D26Z

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