NTLJF3117PT1G मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [502748पीसी स्टक]
- 1 pcs$0.07394
- 3,000 pcs$0.07357
- भाग संख्या:
- NTLJF3117PT1G
- निर्माता:
- ON Semiconductor
- विस्तृत विवरण:
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN.
- Manufacturer's standard lead time:
- स्टक मा
- आफ्नो जीवन:
- एक वर्ष
- बाट चिप:
- हंगकंग
- RoHS:
- भुक्तानी विधि:
-
- ढुवानी मार्ग:
- परिवार कोटिहरू:
- KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, डायोडहरू - भ्यारीएबल क्यापेसिटन्स (वैरिकाप्स, भ्या, ट्रान्जिस्टरहरू - बाइपलर (बीज्ट) - आरएफ, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल and ट्रान्जिस्टरहरू - प्रोग्राम योग्य Unijunction ...
- प्रतिस्पर्धी लाभ:
- We specialize in ON Semiconductor NTLJF3117PT1G electronic components. NTLJF3117PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLJF3117PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTLJF3117PT1G उत्पाद गुणहरू
भाग संख्या :
NTLJF3117PT1G
निर्माता :
ON Semiconductor
वर्णन :
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
श्रृंखला :
µCool™
भाग स्थिति :
Active
FET प्रकार :
P-Channel
टेक्नोलोजी :
MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी :
20V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ २° डिग्री सेल्सियस :
2.3A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) :
1.8V, 4.5V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी :
1V @ 250µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
Vgs (अधिकतम) :
±8V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds :
531pF @ 10V
FET फिचर :
Schottky Diode (Isolated)
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) :
710mW (Ta)
अपरेटिंग तापमान :
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार :
Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज :
6-WDFN (2x2)
प्याकेज / केस :
6-WDFN Exposed Pad
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