Toshiba Semiconductor and Storage - TK14G65W,RQ

KEY Part #: K6399845

TK14G65W,RQ मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [89579पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.48255
  • 1,000 pcs$0.48015

भाग संख्या:
TK14G65W,RQ
निर्माता:
Toshiba Semiconductor and Storage
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - SCRs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - विशेष उद्देश्य, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एरेहरू, डायोडहरू - सुधारकर्ताहरू - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, पावर ड्राइभर मोड्युलहरू and ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK14G65W,RQ उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : TK14G65W,RQ
निर्माता : Toshiba Semiconductor and Storage
वर्णन : MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
श्रृंखला : DTMOSIV
भाग स्थिति : Active
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 650V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 13.7A (Ta)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 3.5V @ 690µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±30V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 1300pF @ 300V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 130W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : 150°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D2PAK
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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