Vishay Semiconductor Diodes Division - GF1J-E3/67A

KEY Part #: K6455508

GF1J-E3/67A मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [611250पीसी स्टक]

  • 1 pcs$0.06385
  • 1,500 pcs$0.06354
  • 3,000 pcs$0.05793
  • 7,500 pcs$0.05420
  • 10,500 pcs$0.05046
  • 37,500 pcs$0.04983

भाग संख्या:
GF1J-E3/67A
निर्माता:
Vishay Semiconductor Diodes Division
विस्तृत विवरण:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA. Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - एरेहरू, डायोडहरू - जेनर - एर्रे, डायोडहरू - जेनर - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू, ट्रान्जिस्टरहरू - द्विध्रुवीय (BJT) - एकल, पूर्व-प and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GF1J-E3/67A उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : GF1J-E3/67A
निर्माता : Vishay Semiconductor Diodes Division
वर्णन : DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA
श्रृंखला : SUPERECTIFIER®
भाग स्थिति : Active
डायोड प्रकार : Standard
भोल्टेज - डीसी रिभर्स (Vr) (अधिकतम) : 600V
वर्तमान - औसत सुधारिएको (Io) : 1A
भोल्टेज - अगाडि (Vf) (अधिकतम) @ यदि : 1.1V @ 1A
गति : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
उल्टो रिकभरी समय (trr) : 2µs
वर्तमान - रिसाव रिसाव @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : -
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
प्याकेज / केस : DO-214BA
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : DO-214BA (GF1)
अपरेटिंग टेम्परेचर - जंक्शन : -65°C ~ 175°C

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