Infineon Technologies - IRFS3307ZPBF

KEY Part #: K6413378

IRFS3307ZPBF मूल्य निर्धारण (अमेरिकी डलर) [8412पीसी स्टक]

  • 1 pcs$1.30447
  • 10 pcs$1.17843
  • 100 pcs$0.89841
  • 500 pcs$0.69876
  • 1,000 pcs$0.57898

भाग संख्या:
IRFS3307ZPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विस्तृत विवरण:
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
स्टक मा
आफ्नो जीवन:
एक वर्ष
बाट चिप:
हंगकंग
RoHS:
भुक्तानी विधि:
ढुवानी मार्ग:
परिवार कोटिहरू:
KEY कम्पोनेन्ट्स कं, लिमिटेड एक इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्ट वितरक हो जसले निम्न सहित उत्पादन कोटीहरू प्रदान गर्दछ: Thyristors - DIACs, SIDACs, Thyristors - SCRs, ट्रान्जिस्टरहरू - FETs, MOSFETs - RF, डायोडहरू - ब्रिज रेक्टिफायरहरू, Thyristors - TRIACs, ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - एकल, ट्रान्जिस्टरहरू - JFETs and ट्रान्जिस्टरहरू - IGBTs - मोड्युलहरू ...
प्रतिस्पर्धी लाभ:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS3307ZPBF उत्पाद गुणहरू

भाग संख्या : IRFS3307ZPBF
निर्माता : Infineon Technologies
वर्णन : MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
श्रृंखला : HEXFET®
भाग स्थिति : Discontinued at Digi-Key
FET प्रकार : N-Channel
टेक्नोलोजी : MOSFET (Metal Oxide)
स्रोत भोल्टेज (Vdss) को लागि निकासी : 75V
हाल - निरन्तर ड्रेन (आईडी) @ ​​२° डिग्री सेल्सियस : 120A (Tc)
ड्राइव भोल्टेज (अधिकतम Rds अन, न्यूनतम Rds अन) : 10V
Rds अन (अधिकतम) @ आईडी, Vgs : 5.8 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (अधिकतम) @ आईडी : 4V @ 150µA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (अधिकतम) : ±20V
इनपुट क्यापसिटान्स (सीस) (अधिकतम) @ Vds : 4750pF @ 50V
FET फिचर : -
पावर डिससिपेशन (अधिकतम) : 230W (Tc)
अपरेटिंग तापमान : -55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग प्रकार : Surface Mount
आपूर्तिकर्ता उपकरण प्याकेज : D2PAK
प्याकेज / केस : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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